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AZ P4620 光刻膠 -
AZ P4620 光刻膠
- 型號AZ P4620
AZ P4620 正性光刻膠特點超厚膜，高對比度，高感光度正型光刻膠，適用于半導體制造及GMR磁頭制造。
AZ光刻膠刻蝕厚度從1μm到150μm以及更厚。高感光度,高產(chǎn)出率；高附著性,特別為濕法刻蝕工藝改進；廣泛應用于全球半導體行業(yè)。
AZ光刻膠特點：
高對比度，高感光度
高附著性，對電鍍工藝高耐受性
多種黏度可供選擇
AZ光刻膠工藝條件：
前烘：100℃ 90秒 (DHP)
曝光：G線步進式曝光機/接觸式曝光機
顯影：AZ300MIF顯影液 (2.38%) 23℃ 60~300秒 Puddle
清洗：去離子水30秒
后烘：120℃ 60秒以上
剝離：AZ剝離液及/或氧等離子體灰化
AZ光刻膠刻蝕厚度從1μm到150μm以及更厚。高感光度,高產(chǎn)出率；高附著性,特別為濕法刻蝕工藝改進；廣泛應用于全球半導體行業(yè)。
光刻膠產(chǎn)品型號及參數(shù)
| 光刻膠名稱 | 型號 | 勻膠厚度 |
| Merck AZ 正/負可轉換型光刻膠 | AZ 5214 | 0.5-6um |
| AZ 50XT 正膠 | AZ 50XT | 40-80um |
| AZ 9260 正膠 | AZ 9260 | 6.2-15um |
| AZ 4620 光刻膠 | AZ 4620 | 10-15um |
| MicroChem SU-8 負膠 | SU-8 2015 | 13-38um |
| MicroChem SU-8 負膠 | SU-8 2050 | 40-170um |
| MicroChem SU-8 負膠 | SU-8 2075 | 60-240um |
| MicroChem SU-8 負膠 | SU-8 3010 | 8-15um |
| MicroChem SU-8 負膠 | SU-8 3050 | 44-100um |
標簽: 光刻膠 AZ光刻膠
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